![]() |
|
||||||||||||||
| | 网站首页 | 文章中心 | 下载中心 | ARM技术交流社区 | 供求信息 | 在线咨询 | 数据手册 | | ||
|
||
|
|||||
| CMOS多频段低噪声放大器设计 | |||||
作者:电子科技… 文章来源:今日电子 点击数: 更新时间:2007-1-16 ![]() |
|||||
近年来,随着无线通信技术的蓬勃发展,可兼容多种移动通信系统标准的新一代移动终端的研究正逐渐成为热点。要实现多频段的移动终端接收系统,需要解决的首要问题就是如何实现位于该系统第一级的低噪声放大器LNA的多频段化。传统的方法是将多个单频段的LNA并联起来使用,但会造成较大的功耗,占用较大的芯片面积,增加成本,而且随着接收标准的不断增多,该方法最终将不可行;另外一种实现多频段的方式是采用开关式LNA,但其只能工作于一个频段下,当希望能同时工作于多个频段时,该方法也将不适用;还可以采用宽带LNA来实现多个频段的放大,但同时也会放大其他频段的干扰信号。本设计中的并行式多频段LNA为单个LNA,但能同时工作在不同频段下且放大所需频段的信号。 电路设计 该多频带LNA总体电路如图1所示,由于1.8GHz、1.9GHz和2GHz频段很靠近,因此考虑设计一个0.9/ 1.9GHz的双频段LNA,以1.9GHz为中心频率,适当增大其带宽,使其覆盖1.8~2GHz,最终实现所需要的四频段LNA。
图1 整体电路图
高频下MOSFET的噪声主要包括漏电流噪声和栅电流噪声。对图1中带有源极电感的共源MOSFET进行噪声分析,得噪声系数为:
2 输入阻抗匹配 与传统的单频段LNA相比,本LNA的输入阻抗匹配网络必须同时在多个频段下匹配到50Ω。图2(a)所示为采用源端电感负反馈结构的输入阻抗匹配网络,其等效电路如图2(b)所示。其包括两个LC槽,其中,L0′=Lg+Ls,C0′=Cgs。输入阻抗可表示为:
图2(a) 输入阻抗匹配网络
图2(b) 输入阻抗匹配网络等效电路 根据阻抗匹配条件,可得出在多个频率下,输入阻抗的实部和虚部需满足以下条件:
3 输出阻抗匹配 输出阻抗网络的设计与输入阻抗网络的设计类似,应考虑在多个频段下实现良好的匹配,同时输出级的设计还要满足增益的要求。图3(a)为本设计中的输出网络,其分为三部分, A1部分提供大的输出阻抗,以实现较高的增益;A2和A3共同实现双频带,A2负责阻抗下变换,将阻抗实部匹配到50Ω,A3则对虚部进行共轭匹配。
图3(a) 输出网络
图3(b) 等效输出网络
最终实现的元件值为L1=5.58nH,R1=15Ω,C1=1.6pF,L2=4nH,C2= 5.14pF,L3=8nH,C3=16.2pF。 仿真结果 基于TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS射频工艺库,采用Cadence的SpectreRF仿真器对所设计的多频段LNA进行仿真,得到0.9/1.8/1.9/2GHz四频段下LNA主要性能指标如图4所示。
图4(a)S21指标
图4(b)S11和S22指标
图4(c) 噪声系数NF
表1综合列出了各频段下的仿真性能指标。
|
|||||
| 文章录入:armopen 责任编辑:armopen | |||||
| 【发表评论】【加入收藏】【告诉好友】【打印此文】【关闭窗口】 | |||||
| 最新热点 | 最新推荐 | 相关文章 | ||
| Nut/OS和μC/OS—II的实时调 μC/OS-ll中任务调度算法的 AT91RM9200在嵌入式税控POS系 基于uCOSII的MAC设计与实现 基于TinyOS的无线传感器网络 基于LPC2214和uC/OS-II的音频 基于积累型MOS变容管的射频压 涂覆有机可焊保护剂OSP工艺的 低压CMOS满幅度恒定增益运算 结构化的平板电视OSD界面设计 |
| 网友评论:(只显示最新10条。评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!) |
| | 设为首页 | 加入收藏 | 联系我们 | 友情链接 | 版权申明 | 网站公告 | |||
|